單晶棒等徑控制是單晶爐控制的重點。單晶直徑在生長過程中課受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速、坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速、生長物理環(huán)境、保護氣體的流速與溫度、冷卻水流的流速與溫度等因素的影響。歸納起來，無外乎是熱場波動和生長速度變化兩大類。因此，爐內(nèi)熱場設置，生長溫度補償、速度等參數(shù)選配是控制單晶外形的基本條件，爐內(nèi)熱場和生長速度的精確控制是單晶等徑控制的重點。由于影響單晶等徑生長的因素較多，控制對象數(shù)學模型難以建立，且這些因素本身以及它們之間的關(guān)系是模糊的、不確定的。系統(tǒng)具有非線性、時變性和大慣性的特征。因而，單晶爐單晶等徑生長控制采用模糊控制策略是比較合適的。

    單晶等徑生長在忽略一些干擾因素影響情況下，主要受溫度和拉速影響。如果恒定溫度而僅從生長速度控制直徑，外形固然可以得到快速保證，但生長速度的大幅度調(diào)節(jié)會造成單晶微觀質(zhì)量缺陷。反之，如果恒定速度而僅從溫度調(diào)節(jié)來控制直徑，由于這種控制系統(tǒng)是一個緩慢時變，并且具有確定性擾動和隨機干擾的非最小相位系統(tǒng)，用一般常規(guī)儀表控制手段來實現(xiàn)自動控徑極為困難。只有對溫度和生長速度進行綜合控制，才能完成等徑自動控制。